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PBSS301NZ产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC56F8166VFV - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BFG10W/X,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
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- 74ABT04N,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- LPC55S16JEV98E - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S9S08RN60W1VLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- PCA9544APW,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- 74AHC04PW,118 - 未分类 > 未分类
- LPC1114JHI33/303E - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S08PT8VWJ - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PBSS301NZ - 12 V、5.8 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
PBSS301NZ是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品,PBSS301NZ是12 V、5.8 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管,本站介绍了PBSS301NZ的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PBSS301NZ相关的NXP元器件型号供参考。
PBSS301NZ - 12 V、5.8 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat(BISS)晶体管 - 恩智浦
产品描述
NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用SOT223 (SC-73)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。
PNP补充:PBSS301PZ。
产品特性和优势
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力IC和ICM
- 高集电极电流增益:hFE(高IC时)
- 发热量更低、能效更高
- 与传统晶体管相比,所需的印刷电路板(PCB)面积更少
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- DC-DC转换
- MOSFET栅极驱动
- 电机控制
- 充电电路
- 电源开关(如电机、风扇)
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