74LVC2G00提供一个2输入与非门功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PESD12VS1UJ - 用于瞬态电压抑制的单向ESD保护
• 74LVC244ABX - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• A710x family - 安全验证微控制器
• BUK625R2-30C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• 74LVC1G53GS - 2通道模拟多路复用器/解复用器
• PHB66NQ03LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• NE57810TK - 高级DDR存储器端接电源，采用外部基准电压
• BC847 - 45 V，100 mA NPN通用晶体管
• PUMD19 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 开路
• BZA900AVL series - 四倍低电容ESD抑制器