74AUP1G17提供单路施密特触发缓冲器。它们能够将缓慢变化的输入信号转变为清晰的无抖动输出信号。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

该输入在不同点进行开关以实现正向和负向信号。正向电压VT+和负向电压VT-之间的差值被定义为输入迟滞电压VH。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PBSS2515YPN - 15 V低VCEsat NPN/PNP晶体管
• 74ALVC16834ADGG - 18位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能（3态）
• 74AUP2G0604 - 低功耗反相缓冲器，带开漏和反相器
• PCA9531 - 8位I2C总线LED调光器
• NVT4556 - SIM card interface level translator with I2C-bus control and LDO
• PZU36BL - 单倍齐纳二极管
• BUK6210-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• 74ALVCH162827DGG - 20位缓冲器/线路驱动器，非反相，带30 Ohm终端电阻（三态）
• PBR941 - NPN UHF宽频带晶体管
• 74HC04D - 六位元反相器