74LVC16244A、74LVCH16244A是带3态总线兼容输出的16位非反相缓冲器/线路驱动器。该器件可用作四个4位缓冲器、两个8位缓冲器或一个16位缓冲器。其具有四个输出使能输入（1OE至4OE），每个都控制四个3态输出。nOE上的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。禁用时，可以向输出施加高达5.5 V的电压。这些特性允许将这些器件用于混合3.3 V和5 V应用。

74LVCH16244A数据输入上的总线保持无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• Multibyte直通式标准针脚排列架构
• 多个低电感电源和接地针脚，可实现最低噪声和地弹
• 具有TTL电平的直接接口
• VCC = 0 V时的高阻抗
• 所有数据输入都具有总线保持。（仅74LVCH16244A）
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP1G374GM - 低功耗D型触发器；正沿触发器（三态）
• BLF8G22LS-270V - 功率LDMOS晶体管
• BZB84-C33 - 双倍齐纳二极管
• PSMN040-100MSE - N沟道100 V 36.6 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK33封装，专为高功率PoE应用而设计
• BUK752R3-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BZX585-B22 - 稳压器二极管
• PDTA113EMB - PNP配电阻晶体管；R1 = 1 kΩ，R2 = 1 kΩ
• 74AHC2G126DC - 双路缓冲器/线路驱动器；3态
• PSMN1R1-25YLC - N沟道25 V 1.15 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• PCA9555APW - 带有中断和弱上拉的低电压16位I2C总线I/O端口