单向双ESD保护二极管采用共阴极配置，配以SOT23塑料封装。设计用于保护最多两条传输线或数据线免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压导致的损坏。

• 最多两条线路的单向ESD保护
• 共阴极配置
• 最大峰值脉冲功率：Ppp = 330 W (tp = 8/20 us)
• 低钳位电压：V(CL)R = 20 V (Ipp =18 A)
• 超低反向漏电流：IRM< 700 nA
• 超过30 kV的ESD保护
• IEC 61000-4-2四级(ESD)
• IEC 61000-4-5（浪涌）；Ipp = 18 A (tp = 8/20 us)
• 符合AEC-Q101标准

• 计算机和外设
• 通信系统
• 音频和视频设备
• 数据线
• CAN总线保护。

• PSMN3R9-25MLC - N沟道25 V 4.15 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• 74AHC373D - 八进制D型透明锁存器；3态
• 74AUP1G07GN - 低功耗缓冲器，带开漏输出
• NX5P2924UK - 逻辑控制的高侧电源开关
• BZB84-C11 - 双倍齐纳二极管
• PMEG050V150EPD - 50 V, 15 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• 74AXP2G14GN - 低功耗双路施密特触发反相器
• PESDxL4UF; PESDxL4UG; PESDxL4UW - 低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
• BGU8M1UK - SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE
• 74LVC1G18GV - 2选1非反相解复用器，具有3态取消选定输出