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PESDxS2UAT series产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- SPC5644CAVLU8 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- A2I08H040GNR1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MC9328MXSVP10 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74LVC08ADB,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- PHK12NQ10T,518 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- KMZ80J - 传感器,变送器 > 位置传感器 > 位置传感器 - 角度、线性位置测量
- MC9S08AC8MFJER - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PESDxS2UAT series - 采用SOT23封装的双ESD保护二极管
PESDxS2UAT series是NXP恩智浦公司的一款通用ESD保护产品,PESDxS2UAT series是采用SOT23封装的双ESD保护二极管,本站介绍了PESDxS2UAT series的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PESDxS2UAT series相关的NXP元器件型号供参考。
PESDxS2UAT series - 采用SOT23封装的双ESD保护二极管 - 通用ESD保护 - 通用ESD保护设备 - 恩智浦
产品描述
单向双ESD保护二极管采用共阴极配置,配以SOT23塑料封装。设计用于保护最多两条传输线或数据线免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压导致的损坏。
产品特性和优势
- 最多两条线路的单向ESD保护
- 共阴极配置
- 最大峰值脉冲功率:Ppp = 330 W (tp = 8/20 us)
- 低钳位电压:V(CL)R = 20 V (Ipp =18 A)
- 超低反向漏电流:IRM< 700 nA
- 超过30 kV的ESD保护
- IEC 61000-4-2四级(ESD)
- IEC 61000-4-5(浪涌);Ipp = 18 A (tp = 8/20 us)
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 计算机和外设
- 通信系统
- 音频和视频设备
- 数据线
- CAN总线保护。
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