74LVC1G53是低功耗低电压的高速硅栅CMOS器件。

74LVC1G53提供一个模拟多路复用器/解复用器，带一个数字选择输入(S)、两个独立输入/输出（Y0，y1）、一个公共输入/输出(Z)和一个低电平有效使能输入(E)。针脚E为高电平时，开关关闭。

选择输入和使能输入处的施密特触发器动作使电路容许整个1.65 V至5.5 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • VCC = 2.7 V时，7.5 ?（典型值）
  • VCC = 3.3 V时，6.5 ?（典型值）
  • VCC = 5 V时，6 ?（典型值）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的接口兼容性
• 闭锁性能满足JESD 78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 控制输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74LVC2G00 - 双路2输入与非门
• PZU13B2A - 单倍齐纳二极管
• PMV37EN2 - 30 V，N沟道Trench MOSFET
• BLP8G10S-45P - 功率LDMOS晶体管
• PZU2.7B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PDTC115TMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 100 kΩ，R2 = 开路
• PMEG3010EH_EJ_ET - 1 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74AXP1G32GN - 低功耗2输入或门
• PESD5V0F5UV - 毫微微法拉级(Femtofarad)单向五路ESD保护阵列
• PESD5V0X2UMB - 超低电容单向双ESD保护二极管