
BLF10M6(LS)200技术文档下载:
BLF10M6(LS)200产品应用图解:


NXP恩智浦芯片:
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- 74HCT1G14GW,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- T1040NSN7MQB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MIMX9121DVVXCAA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- BZX84-C18/LF1VL - 二极管 - 齐纳 - 单
- BLT80,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
- MCF52256CVN66 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- RD-KL25-AGMP01 - 评估板 - 传感器
- PMV28UN,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- PBHV8540Z,115 - 未分类 > 未分类
- 74LVT534PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- ADC0801S040/DB - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 模数转换器(ADC)评估板
- MCXW727DMFTBR - 射频和无线 > 射频收发器 IC
- S912ZVMC64AWKH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- JN5179-001-M16534 - 射频和无线 > 射频收发器 IC
- PUSB3F4-TBR - 电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- MKL26Z64VFT4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S9S12VR64F2VLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TEA1832LTS/1H - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > AC DC 转换器,离线开关
- S9S12ZVL32AMLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



BLF10M6(LS)200 - 功率LDMOS晶体管
BLF10M6(LS)200是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF10M6(LS)200是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF10M6(LS)200的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF10M6(LS)200相关的NXP元器件型号供参考。
BLF10M6(LS)200 - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,适合700 MHz至1000 MHz频率范围的ISM应用。
产品特性和优势
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 极佳的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 设计用于宽带操作(700 MHz至1000 MHz)
- 内部匹配,便于使用
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适合700 MHz至1000 MHz频率范围内ISM应用的RF功率放大器
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