
BLF10M6(LS)200技术文档下载:
BLF10M6(LS)200产品应用图解:


NXP恩智浦芯片:
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- TDA8759HV/8/C1,557 - 集成电路(IC) > 线性 > 视频处理
- MC9S12XDP512MAG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BSS84AKT,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- SPC5643LFK0MLQ1R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BFU550AR - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
- MMRF1311HR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
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BLF10M6(LS)200 - 功率LDMOS晶体管
BLF10M6(LS)200是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF10M6(LS)200是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF10M6(LS)200的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF10M6(LS)200相关的NXP元器件型号供参考。
BLF10M6(LS)200 - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,适合700 MHz至1000 MHz频率范围的ISM应用。
产品特性和优势
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 极佳的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 设计用于宽带操作(700 MHz至1000 MHz)
- 内部匹配,便于使用
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适合700 MHz至1000 MHz频率范围内ISM应用的RF功率放大器
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