74LVC1G38提供一个2输入与非功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将该器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 开漏输出
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+125 °C

• PUMH18 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ
• BUK9214-30A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• HT1x - HITAG 1应答器IC
• 74ABT32 - 四路2输入或门
• BUK7Y72-80E - N沟道80 V，72 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• BZX84J-B5V6 - 单倍齐纳二极管
• HEF4541BT - 可编程定时器
• PDTB123TT - PNP 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
• 74AVC16T245BX - 16位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• PSMN8R2-80YS - N沟道LFPAK 80 V 8.5 m?标准电平MOSFET