74LVC1G386提供一个3输入异或功能。

输入可通过3.3或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• 闭锁性能超过250 mA
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM EIA/JESD22-A114E超过2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
• SOT363和SOT457封装
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• NX3L4684 - 双低电阻单刀双掷模拟开关
• PMEG2010EV - 低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74HC(T)4017 - 约翰逊十进制计数器，带10个解码输出
• BCV61C - NPN通用双晶体管
• PCA9575PW2 - 带有复位和中断的16位I2C总线和SMBus、电平变换、低电压GPIO
• TL431 family - 可调精度并联稳压器
• 74AVCH8T245BQ - 8位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• BUK7535-100A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AUP1G86GX - 低功耗2输入异或门
• PBSS4350T - 50 V、3 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管