74AUP1G00提供单路2输入与非功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PMEG2005EPK - 20 V、0.5 A低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• HEF4070B - 四路异或门
• 74HC3G16DP - 三路缓冲器门
• BUK9217-75B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• MMBT2222A - NPN开关晶体管
• 74AUP1G11GM - 低功耗3输入与门
• 74AUP2G125GD - 低功耗双路缓冲器/线路驱动器；3态
• PMV27UPE - 20 V，P沟道Trench MOSFET
• BAT754S - 肖特基势垒二极管
• HEF4894B - 12级移位和存储寄存器LED驱动器