74LVC1G34提供一个低功耗、低电压的单路缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BLS6G3135-20 - LDMOS S波段雷达功率晶体管
• PHDMI2F4 - 用于超高速接口的ESD保护
• 74AUP1G17GW - 低功耗施密特触发器
• PTVS60VP1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• PDTC144TT - NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 开路
• PDTD123ET - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• PESD5V0F1USF - 极低电容单向ESD保护二极管
• 74AUP1G74GD - 带设置和复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• PDZ8.2B - 稳压器二极管
• 74VHC125D - 四路缓冲器/线路驱动器；3态