
74AUP1Z125GN技术文档下载:
74AUP1Z125GN产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- TL431BMSDT,215 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电压基准
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- A3T18H455W23SR6 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- 74LVC139DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- IP4338CX24/LF/P,13 - 未分类 > 未分类
- MMA2201KEGR2 - 传感器,变送器 > 运动传感器 > 加速计
- BFS520,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管



74AUP1Z125GN - 低功耗晶体驱动器,带使能和内部晶体管;3态
74AUP1Z125GN是NXP恩智浦公司的一款组合产品,74AUP1Z125GN是低功耗晶体驱动器,带使能和内部晶体管;3态,本站介绍了74AUP1Z125GN的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74AUP1Z125GN相关的NXP元器件型号供参考。
74AUP1Z125GN - 低功耗晶体驱动器,带使能和内部晶体管;3态 - 组合 - 门 - 恩智浦
产品描述
74AUP1Z125结合了74AUP1GU04和74AUP1G125的功能以及使能电路和内部偏置电阻,提供最适合晶体振荡器应用的器件。
不使用时,可将EN输入驱动为高电平,从而拉高X1输入并将该器件置于低功耗禁用模式。EN输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC 范围内较慢的输入上升和下降时间。
该器件完全针对在输出Y处使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出,防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。
74AUP1Z125因集成了这两个器件而在各种频率和温度范围内形成尺寸紧凑、功耗低和操作稳定的优势。
产品特性和优势
- 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
- 高抗噪性
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- CDM JESD22-C101E超过1000 V
- 闭锁性能超过100 mA,符合JESD78B II类标准
- 输入可接受高达3.6 V的电压
- 低噪声过冲和欠冲,小于VCC的10 %
- IOFF电路在输出Y处提供局部掉电模式操作
- 多种封装选择
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
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