74AUP1G79提供单路正沿触发D类触发器。数据输入处的信息会在时钟脉冲从低到高转换时被传输到Q输出。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，D输入必须保持稳定，以进行可预测操作。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK6E3R2-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• 74AUP1G18GW - 低功耗2选1解复用器，具有3态取消选定输出
• 2PB1219AS - PNP通用晶体管
• BGU7063 - 模拟控制高线性度低噪声可变增益放大器
• 74HCT4316D - 四路双向开关
• BUK9518-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74HC2G04GW - 双路反相器
• BUK7604-40A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PESD5V0X2UAMB - 超低电容单向双ESD保护二极管
• MF0ICU2101DUF - MIFARE Ultralight C - Contactless ticket IC