74LVC1G3157提供一个模拟多路复用器/解复用器，带一个数字选择输入(S)、两个独立输入/输出（Y0，y1）和一个公共输入/输出(Z)。

选择输入处的施密特触发器动作使电路容许整个1.65 V至5.5 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • VCC = 2.7 V时，7.5 ?（典型值）
  • VCC = 3.3 V时，6.5 ?（典型值）
  • VCC = 5 V时，6 ?（典型值）
• 32 mA的开关电流能力
• 先断后通式开关
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的接口兼容性
• 闭锁性能满足JESD 78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 控制输入可接受高达5.5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• CLF1G0035-100 - 宽带RF功率GaN HEMT
• PMEG3005EL - 0.5 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74LVC373APW - 八进制D型透明锁存器，具有5 V容压输入/输出；3态
• TDZ24J - 单倍齐纳二极管
• 74VHCT244BQ - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PCA9410AUK - 3.0 MHz, 300 mA, DC-to-DC boost converter
• 74CBTLV3861PW - 10位总线开关，具有输出使能
• PESD5V0X1BQ - 超低电容双向ESD保护二极管
• PMEG4030EP - 3 A低Vf MEGA肖特基势垒整流二极管
• PSMN7R5-30MLD - N沟道30 V，7.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术