74CBTLV3861是带一个输出使能(OE)输入的10位总线开关。OE为低电平时，该开关闭合且端口A连接到端口B。OE为高电平时，该开关处于禁用状态。

为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态，OE应当通过上拉电阻连接到VCC。电阻的最小值由驱动器灌入电流的能力确定。

控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许整个2.3 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 2.3 V至3.6 V的电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
• 两个端口之间的5 Ω开关连接
• 数据I/O端口上的轨到轨切换
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA，符合JESD78B I类A级标准
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PSMN013-100YSE - N沟道100 V 13 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• PBSS5330PAS - 30 V、3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74AHCT3G14DP - 三路反相施密特触发器
• BAT120A - 双倍肖特基势垒二极管
• 74HC165PW - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• 2N7002BKMB - 60 V，单N沟道Trench MOSFET
• PDTA114YQA - 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors
• BUK7Y07-30B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PBLS4004Y - 40 V PNP BISS负载开关
• NZX3V9C - 单倍齐纳二极管