74LVC1G18是带3态输出的2选1非反相解复用器。该器件缓冲输入针脚A上的数据并将其传输到输出1Y或2Y，具体取决于选择输入(针脚S)的状态是低电平还是高电平。输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM EIA/JESD22-A114E超过2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• SOT363和SOT457封装
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• IP4221CZ6-S - 用于高速接口的ESD保护
• BZX79-B24 - 稳压器二极管
• PMV50UPE - 20 V，单P沟道Trench MOSFET
• PCU9656B - 24位UFm 5 MHz I2C总线100 mA 40 V LED驱动器
• SC16C550BIBS - 5 V、3.3 V和2.5 V的UART，带有16字节FIFO
• BAS16L - 高速开关二极管
• PSMN2R2-25YLC - N沟道25 V 2.4 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• 74LVC2GU04GN - 双路反相器
• 74AVC16373DGG - 16位D型透明锁存器；3.6 V容压（三态）
• BUK7510-100B - N沟道TrenchMOS标准电平FET