74AVC4TD245是4位双电源收发器，可实现双向电平转换。该器件具有八个1位输入输出端口（An和Bn）、四个方向控制输入(DIR1、DIR2、DIR3和DIR4)、一个输出使能输入(OE)和双电源针脚（VCC(A)和VCC(B)）。VCC(A)和VCC(B)都可以是0.8 V和3.6 V之间的任何电压，因此该器件适用于任何低压节点（1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V和3.3 V）之间的转换。针脚An、OE和DIRn以VCC(A)为基准，针脚Bn以VCC(B)为基准。 DIRn上的高电平允许从An到Bn的传输，而DIRn上的低电平则允许从Bn到An的传输。输出使能输入(OE)可用于禁用输出，因此总线能得到有效隔离。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时任何破坏性回流电流通过该器件。在挂起模式下，只要VCC(A)或VCC(B)这两者的其中之一处于GND电平，An和Bn就都处于高阻抗关断状态。

• 宽电源电压范围：
  • VCC(A)：0.8 V至3.6 V
  • VCC(B)：0.8 V至3.6 V
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E 3B类超过8000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101C超过1000 V
• 最大数据速率：
  • 380 Mbit/s（≥ 1.8 V至3.3 V转换）
  • 200 Mbit/s（≥ 1.1 V至3.3 V转换）
  • 200 Mbit/s（≥ 1.1 V至2.5 V转换）
  • 200 Mbit/s（≥ 1.1 V至1.8 V转换）
  • 150 Mbit/s（≥ 1.1 V至1.5 V转换）
  • 100 Mbit/s（≥ 1.1 V至1.2 V转换）
• 挂起模式
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PTVS6V5P1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• BUK7210-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BUK9615-100E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74AUP2G02 - 低功耗双路2输入或非门
• BUK7905-40AI - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• NE57810TK - 高级DDR存储器端接电源，采用外部基准电压
• PTVS22VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• 74LVC1G34GN - 单路缓冲器
• TEF668X - 低中频调谐器高性能单芯片
• HEF4001B - 四路2输入或非门