74LVC1G125提供一个带3态输出的非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(OE)控制。针脚OE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• CMOS低功耗
• 输入可接受高达5 V的电压
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PZU18B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• SC16IS762IBS - 带有I2C总线/SPI接口、64字节发送和接收FIFO以及IrDA SIR内置式支持的双通道UART
• PDTC144EU - NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 k?
• SAA1305T - 开/关逻辑IC
• 74LVT16244BDL - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器；3态
• 74HC4067DB - 16通道模拟多路复用器/解复用器
• PSMN3R0-30YLD - N沟道30 V，3.0 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术
• BAT54CM - 双倍肖特基势垒二极管
• BUK7K18-40E - 双N沟道40 V，19 m?标准电平MOSFET
• X3G_T_OH047_048 - 磁阻传感器