X3G-OH047、X3G-OH048、X3T-OH047和X3T-OH048均为灵敏的磁场传感器，具有薄膜坡莫合金的磁阻效应。这些传感器集成两个平行供电的惠斯通电桥，相互之间的相对角度为45°。

表面与芯片（x-y平面）平行的旋转磁场将产生两个独立的正弦输出信号，一个遵循cos(2α)函数，另一个遵循sin(2α)函数；α表示传感器和磁场方向之间的角度。

X3G-OH047、X3G-OH048、X3T-OH047和X3T-OH048适用于低磁场强度条件下的高精度角度测量应用（饱和磁场强度为25 kA/m）。

传感器的工作频率范围为直流至1 MHz。

数据手册中的所有产品型号均针对单芯片（单个传感器）有效。双芯片器件集成两个磁场传感器，其电磁参数表征的是单芯片的额定值，并且互相之间无关。

• 角度测量准确可靠
• 持久耐用，非接触式测量
• 永久无磨损
• 测量精度不受机械公差影响
• 宽温度范围

• 转向角和扭矩
• 大灯调节
• 电机位置
• 车窗雨刷
• 燃油液位
• 后视镜位置

• HEF4094BT - 8级移位和存储寄存器
• PZU10B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PCF8574ATS - I2C总线远程8位I/O扩展器
• PTVS8V0P1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• BLF6G15L(S)-500H - 功率LDMOS晶体管
• 74LVC1G332GW - 单路3输入或门
• PUMH16 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 47 kOhm
• SC28L198 - 3.3 V和5 V电源电压的八通道UART
• BF908 - N沟道双栅极MOSFET
• PESD24VS2UT - 采用SOT23封装的双ESD保护二极管