74LVC1G10提供一个低功耗、低电压的单路3输入与非门。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74AHCT257D - 四路2输入多路复用器；3态
• 74AUP2G98DP - Low-power dual PCB configurable multiple function gate
• PCAL9539A - 带有中断和复位的低电压16位I2C总线和SMBus低功率I/O端口
• PCF8885TS - 8通道电容式触摸和近距离传感器，具有自动校准和极低功耗
• BC56-16PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A NPN medium power transistors
• 74AHCT1G126GM - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• BLA6G1011L-200RG - 功率LDMOS晶体管
• PBSS4360Z - 60 V、3 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PSMN4R3-100ES - N沟道100 V 4.3 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装
• XC7SET04GW - 反相器