
PESD3V3V4UW技术文档下载:
PESD3V3V4UW产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- HEF4543BT,653 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 显示驱动器
- MRFE6VP5600HSR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MIMX8MQ6CVAHZAB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- SPC5746BFK1AVKU2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PDTA123YT,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- MC9S08DV96MLL - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MKL26Z128VFM4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LS2088ASE7TTB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- P3041NSE7NNC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- N74F299N,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
- MCIMX356AVM4BR2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MCF52211CVM66 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVC16240ADGG,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MC9S12GC128MPBE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- P2041NSN1PNB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PHD78NQ03LT,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- PDTA143ET,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- LM75BD,112 - 传感器,变送器 > 温度传感器 > 模拟和数字输出
- NX5DV715HF,118 - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关 - 特殊用途
- MC68HC908KX8CP - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PESD3V3V4UW - 极低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
PESD3V3V4UW是NXP恩智浦公司的一款低电容ESD保护设备产品,PESD3V3V4UW是极低电容单向四倍ESD保护二极管阵列,本站介绍了PESD3V3V4UW的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PESD3V3V4UW相关的NXP元器件型号供参考。
PESD3V3V4UW - 极低电容单向四倍ESD保护二极管阵列 - 低电容ESD保护设备 - 通用ESD保护设备 - 恩智浦
产品描述
极低电容单向四倍静电放电(ESD)保护二极管阵列采用小型表面贴装设备(SMD)塑料封装,保护最多四条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。
产品特性和优势
- 最多4条线路的ESD保护
- 超低漏电流:IRM = 25 nA
- 极低二极管电容
- 高达12 kV的ESD保护
- 最大峰值脉冲功率:PPP = 16 W
- IEC 61000-4-2四级(ESD)
- 低钳位电压:VCL = 11 V
- IEC 61000-4-5(浪涌);IPP = 1.5 A
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 计算机和外设
- 通信系统
- 音频和视频设备
- 便携式电子设备
- 手机和附件
- 用户身份识别模块(SIM)卡保护
下面可能是您感兴趣的恩智浦公司低电容ESD保护设备元器件
- TDA3664AT - 具有极低压降/静态电流的5 V稳压器
- BZV55-C51 - 稳压器二极管
- BZB84-C47 - 双倍齐纳二极管
- 74HC(T)00 - 四路2输入与非门
- 74HC112D - 带设置和复位功能的双频JK触发器;负沿触发器
- BUK7227-100B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
- BZX884-B10 - 稳压器二极管
- BC53PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors
- P5CC040XS - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
- PMEG2010BEA - 1 A、极低VF MEGA肖特基势垒整流器,采用超小型SOT666和极小型SOD323 (SC-76)两种封装


NXP公司产品现货专家,订购恩智浦公司产品不限最低起订量,NXP恩智浦产品大陆现货即时发货,香港库存3-5天发货,海外库存7-10天发货
寻找全球NXP代理商现货货源 - NXP公司(恩智浦)电子元件在线订购

