
PSMN9R5-30YLC技术文档下载:
PSMN9R5-30YLC产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- 74HC30D,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
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- KMSC8126VT8000 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > DSP(数字信号处理器)
- MC33889BDWR2 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
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- MKL16Z64VFT4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MW6S010GMR1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET



PSMN9R5-30YLC - N沟道30 V 9.8 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术
PSMN9R5-30YLC是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN9R5-30YLC是N沟道30 V 9.8 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术,本站介绍了PSMN9R5-30YLC的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN9R5-30YLC相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN9R5-30YLC - N沟道30 V 9.8 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平增强型N沟道MOSFET,采用LFPAK封装。该产品设计适用于各种工业、通信及家用设备。
产品特性和优势
- 高可靠性Power SO8封装,额定温度为175°C
- 低寄生电感和电阻
- 采用NextPower超结技术,最适合4.5V栅极驱动
- 超低QG、QGD和QOSS,高/低负载时可实现系统高效率
产品应用
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 同步降压调节器
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