74LV595是带存储寄存器和3态输出的8级串行移位寄存器。移动和存储寄存器都具有单独的时钟。其是低压硅栅CMOS器件，与74HC595和74HCT595针脚和功能兼容。

数据在SHCP输入正向跃迁时移位。移位寄存器中的数据在STCP输入正向跃迁时会被传输到存储寄存器。如果两个时钟连在一起，则移位寄存器将总是比存储寄存器超前一个时钟脉冲。

移位寄存器具有用于级联的一个串行输入(DS)和一个串行标准输出(Q7S)。该器件还具有针对所有8个移位寄存器级的异步复位输入MR（低电平有效）。该存储寄存器具有8个平行3态总线驱动器输出。输出使能输入(OE)为低电平时，存储寄存器中的数据会出现在输出处。

• 最适合低压应用：1.0 V至3.6 V
• 接受介于VCC = 2.7 V和VCC = 3.6 V之间的TTL输入电平
• VCC = 3.3 V且Tamb = 25 °C时的典型输出地弹：< 0.8 V
• VCC = 3.3 V且Tamb = 25 °C时的典型高电平输出电压(VOH)欠冲：> 2 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
• 移位寄存器，带直接清零
• 多种封装选择
• 输出能力：
  • 并行输出；总线驱动器
  • 串行输出；标准
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V

• 串行到并行数据转换
• 遥控保持寄存器

• PDTA123ET - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• BAS70-05W - 通用肖特基二极管
• 74AHC86D - 四路2输入异或门
• PTVS18VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• CLF1G0035(S)-50 - 宽带RF功率GaN HEMT
• 74HC245D - 八进制总线收发器；3态
• BZT52H-B3V3 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74AUP1G16GN - Low-power buffer
• PTVS22VP1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• PSMN6R3-120ES - N沟道120 V 6.7 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装