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PSMN6R3-120ES - N沟道120 V 6.7 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装
PSMN6R3-120ES是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品，PSMN6R3-120ES是N沟道120 V 6.7 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装，本站介绍了PSMN6R3-120ES的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PSMN6R3-120ES相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN6R3-120ES - N沟道120 V 6.7 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
标准电平N沟道MOSFET，采用I2PAK封装，额定工作温度为175?°C。该产品设计适用于各种工业、通信及家用电源设备。
产品特性和优势
- 低开关和导通损耗，因而效率高
- 更强的动态雪崩性能
- 适用于标准电平栅极驱动
- I2PAK封装，适合超薄适配器和高度受限的应用
产品应用
- AC-DC电源
- 同步整流
- 马达控制
- 超薄适配器和充电器
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