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74HCT573BQ产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- BZX84-A5V6,215 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
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- PBRN113ES,126 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- BAP65-05 - 分立半导体产品 > 二极管 > 射频
- 74ALVCH16601DGG:11 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 通用总线功能
- MRF8S23120HSR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET



74HCT573BQ - 八进制D型透明锁存器;3态
74HCT573BQ是NXP恩智浦公司的一款锁存产品,74HCT573BQ是八进制D型透明锁存器;3态,本站介绍了74HCT573BQ的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74HCT573BQ相关的NXP元器件型号供参考。
74HCT573BQ - 八进制D型透明锁存器;3态 - 锁存 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
74HC573;74HCT573是高速硅栅CMOS器件,与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准no. 7A。
74HC573;74HCT573是八D型透明锁存器,具有适用于每个锁存器的单独D型输入和适合总线应用的3态真正输出。锁存使能输入(LE)和输出使能输入(OE)为所有锁存器共用。
LE为高电平时,Dn输入处的数据会输入锁存器。在这种情况下,锁存器是透明的,即每当与锁存输出对应的D输入发生变化时,锁存输出都会随之变化。
LE为低电平时,锁存器存储LE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在D输入处出现的信息。OE为低电平时,8个锁存器的内容可在输出上获取。OE为高电平时,输出转为高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响锁存器的状态。
74HC573;74HCT573在功能上等同于:
74HC563;74HCT563,但输出反相 74HC373;74HCT373:但针脚排列不同产品特性和优势
- 输入电平:
- 对于74HC573:CMOS电平
- 对于74HCT573:TTL电平
- 封装另一侧上的输入和输出,可实现与微处理器的轻松接合
- 用作微处理器和微型计算机的输入或输出端口
- 3态非反相输出,适合总线应用
- 公共3态输出使能输入
- 多种封装选择
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F超过2000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
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