74AUP1G332提供一个3输入或门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP2G241GM - 低功耗双路缓冲器/线路驱动器；3态
• 74AHC573BQ - 八进制D型透明锁存器；3态
• BUK7607-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BZX585-C3V9 - 稳压器二极管
• PESD5V0X2UMB - 超低电容单向双ESD保护二极管
• PTVS33VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• 74VHC126BQ - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• PSMN1R2-25YL - N沟道25 V 1.2 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
• IP4253CZ16-8-TTL - 集成式4、6和8通道无源滤波器网络，带ESD保护
• 74HC590BQ - 8位二进制计数器，带输出寄存器；3态