74AUP1G332提供一个3输入或门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PCA9575HF - 带有复位和中断的16位I2C总线和SMBus、电平变换、低电压GPIO
• PTN3310D - 高速串行逻辑转换器
• NTB0102GU - 双电源转换收发器；自动方向感应；3态
• PTVSxP1UTP series - 高温600 W瞬态电压抑制器
• BCV71; BCV72 - NPN通用晶体管
• OL2311AHN - 高度集成的单芯片1 GHz以下RF接收器
• PMEGxx05ET series - 0.5 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管，采用SOT23封装
• BZA968A - 四倍ESD瞬态电压抑制器
• PMV16XN - 20 V, N-channel Trench MOSFET
• BLM8G0710S-15PBG - LDMOS 2-stage power MMIC