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74HCT373BQ产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MKW21Z256VHT4 - 射频和无线 > 射频收发器 IC
- S32K118EVB2Q048 - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 嵌入式 MCU、DSP 评估板
- MPX2010GS - 传感器,变送器 > 压力传感器、变送器 > RTD(电阻温度检测器)
- MC145576PBA1 - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- TDA18218HN/C1,551 - 集成电路(IC) > 线性 > 视频处理



74HCT373BQ - 八进制D型透明锁存器;3态
74HCT373BQ是NXP恩智浦公司的一款锁存产品,74HCT373BQ是八进制D型透明锁存器;3态,本站介绍了74HCT373BQ的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74HCT373BQ相关的NXP元器件型号供参考。
74HCT373BQ - 八进制D型透明锁存器;3态 - 锁存 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
74HC373;74HCT373是高速硅栅CMOS器件,与低功耗肖特基TTL针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准no. 7A。
74HC373;74HCT373是八进制D型透明锁存器,具有适用于每个锁存器的单独D型输入和适合总线应用的3态输出。锁存使能输入(LE)和输出使能输入(OE)为所有锁存器共用。
74HC373;74HCT373由八个带3态真正输出的D型透明锁存器组成。LE为高电平时,Dn输入处的数据会输入锁存器。在这种情况下,锁存器是穿透的,即每当与锁存输出对应的D输入发生变化时,锁存输出都会随之变化。
LE为低电平时,锁存器存储LE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在D输入处出现的信息。OE为低电平时,8个锁存器的内容可在输出上获取。OE为高电平时,输出转为高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响锁存器的状态。
74HC373;74HCT373在功能上等同于:
74HC563;74HCT563:但输出反相且针脚排列不同 74HC573;74HCT573:但针脚排列不同产品特性和优势
- 3态非反相输出,适合总线应用
- 公共3态输出使能输入
- 在功能上等同于74HC563;74HCT563和74HC573;74HCT573
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F超过2000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C
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