74AHC123A；74AHCT123A是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。其规格符合JEDEC标准no. 7A。

74AHC123A；74AHCT123A是输出脉冲宽度由三种方法控制的双可再触发单稳态多谐振荡器。基本脉冲时间通过选择外部电阻(REXT)和电容(CEXT)进行编程。

一旦触发，基本输出脉冲宽度可通过再触发门控低电平有效边沿输入(nA)或高电平有效边沿输入(nB)进行扩展。重复这一过程，就可按需形成输出脉冲周期（nQ为高电平，nQ 为低电平）。或者，输出延迟可通过输入nRD上的低电平沿随时终止，其还可抑制触发。

从nRD到输入门的内部连接使其可以通过输入nRD上的正向信号触发电路。基本输出脉冲宽度实质上由外部定时元件REXT和CEXT的值确定。CEXT ≥ 10 nF时，典型输出脉冲宽度定义为：tW= REXT× CEXT，其中tW= 脉冲宽度（单位：ns）；REXT= 外部电阻（单位：kΩ）；CEXT= 外部电容（单位：pF）。所有输入处的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

• 所有输入都具有施密特触发器动作
• 输入接受高于VCC的电压
• 从高电平有效或低电平有效输入触发的直流
• 针对占空系数高达100 %的极长脉冲可再触发
• 直接复位可终止输出脉冲
• 仅对于74AHC123A：采用CMOS输入电平工作
• 仅对于74AHCT123A：采用TTL输入电平工作
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101C超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PMBT2222A - NPN开关晶体管
• 74LVC1G53GS - 2通道模拟多路复用器/解复用器
• 74HCT4067DB - 16通道模拟多路复用器/解复用器
• PBSS301NX - 12 V、5.3 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LVT2244DB - 3.3V八位元缓冲器/线路驱动器，具有30 Ohm串联端接电阻（3态）
• 74HC259DB - 8位可寻址锁存器
• IP3253/54CZ8/CZ12/CZ16 - 集成式4、6和8通道无源EMI滤波器网络，高电平ESD保护符合IEC 61000-4-2第四级标准
• PSMN075-100MSE - N沟道100 V 71 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK33封装，专为PoE应用而设计
• PDTB143EU - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• BLF8G27LS-140V - 功率LDMOS晶体管