74LVC1G53是低功耗低电压的高速硅栅CMOS器件。

74LVC1G53提供一个模拟多路复用器/解复用器，带一个数字选择输入(S)、两个独立输入/输出（Y0，y1）、一个公共输入/输出(Z)和一个低电平有效使能输入(E)。针脚E为高电平时，开关关闭。

选择输入和使能输入处的施密特触发器动作使电路容许整个1.65 V至5.5 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • VCC = 2.7 V时，7.5 ?（典型值）
  • VCC = 3.3 V时，6.5 ?（典型值）
  • VCC = 5 V时，6 ?（典型值）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的接口兼容性
• 闭锁性能满足JESD 78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 控制输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74LVC2G34 - 双路缓冲器门
• BGU7060 - Analog high linearity low noise variable gain amplifier
• 74AUP2G240GN - 低功耗双路反相缓冲器/线路驱动器；3态
• PBSS4041SP - 60 V，5.9 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74AUP1G86GN - 低功耗2输入异或门
• NZX2V7B - 单倍齐纳二极管
• PSMN1R5-30YL - N沟道30 V 1.5 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
• 74LVT162240ADGG - 3.3 V LVT 16位反相缓冲器/驱动器，具有30 Ohm端接电阻（3态）
• PESD5V0X1BCAL - 极低电容双向ESD保护二极管
• 74AUP1G885GS - 低功耗双功能门