
TEA1723DT技术文档下载:
TEA1723DT产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- MC9S08PA60VLFR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HC595D,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
- LPC1224FBD48/101,1 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SPC5604BK0VLH4R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MK70FX512VMJ12 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRF8HP21080HR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MPC8560CPX667JB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74LV541PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- LPC4327JET100E - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVC1G02GMH - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- PHB27NQ10T,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- MK22FN256VLH12 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BZX84J-B36,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- BZT52H-C7V5,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MC9S08AC48MPUE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MCZ33905BS5EKR2 - 集成电路(IC) > 专用 IC
- MRF8P20100HSR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- SPC5674FAMVV3 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PZM6.2NB,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- TDF8599TH/N2,518 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器



TEA1723DT - 适用于11 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器,f~burst = 1270 Hz
TEA1723DT是NXP恩智浦公司的一款高功率转换器产品,TEA1723DT是适用于11 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器,f~burst = 1270 Hz,本站介绍了TEA1723DT的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与TEA1723DT相关的NXP元器件型号供参考。
TEA1723DT - 适用于11 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器,f~burst = 1270 Hz - 高功率转换器 - AC/DC转换器 - 恩智浦
产品描述
TEA1723是一款小体积低成本开关模式电源(SMPS)控制器IC,适合低功率应用(最高11 W),可直接使用整流市电电源工作。该器件集成高压功率开关(700 V),并针对反激转换器拓扑而优化,可在全负载范围内提高效率,空载功耗极低。该器件内置了启动电路,可直接采用整流后的市电电压启动,无需任何外部泄放电路。1270 Hz的打嗝频率可在高市电输入情况下实现低于35 mW的空载功耗。
产品特性和优势
- 低功率的开关电源控制器,适用于功率达11 W的应用
- 采用700 V高压功率开关,适合在全球市电下工作
- 输出电压通过原边检测控制,无需光耦合器及副级反馈电路
- 最大程度地降低在各种工作模式下的音频噪声
- 符合能源之星2.0标准
- 具有频率抖动功能,EMI更低
- 空载功耗低于35 mW
- 提供节能模式,空载条件下消耗极低的电源电流
- 正常开关工作时内置的高压启动电路的电流消耗为零
- 采用无卤且符合RoHS标准的SO7封装
- 反馈控制脚(FB)具有过压保护(OVP)和保护后自动重启功能
- IC电源脚具有欠压闭锁(UVLO)保护功能
- 过温保护(OTP)
- 通过降低零和低输出电压时的峰值电流,实现软启动
- 退磁保护功能保证在非连续导通模式下工作
- 反馈控制(FB)脚有开路和短路保护功能
产品应用
- 白色家电
- 工业
- 智能电表
- 智能手机和媒体平板电脑充电器
- 通用适配器
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- 74HCT373BQ - 八进制D型透明锁存器;3态
- 74VHCT02BQ - 四路2输入或非门
- PDTC143ZM - NPN配电阻晶体管;R1 = 4.7 kΩ,R2 = 47 kΩ
- 74HC132DB - 四路2输入与非施密特触发器


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