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BLF8G20LS-200V技术文档下载：
BLF8G20LS-200V产品应用图解：
NXP恩智浦芯片：
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- 2PD602AQ,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
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- MC908JK1ECDWER - 嵌入式 - 微控制器
- 74HC27PW,118 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 门和反相器
- BZX284-C51,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 74HC373D,652 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 锁存器
- 74LVT652DB,118 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
- MPVZ4006GW7U - 压力传感器、变送器
- BZX284-B6V8,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- UDA1380TT/N2,518 - 集成电路（IC） > 接口 > 编解码器
- LPC2141FBD64,151 - 嵌入式 - 微控制器
- BZX84-C2V7/LF1VL - 二极管 - 齐纳 - 单
- BZX884-C39,315 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MRF6S9160HR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 74HCT20DB,112 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 门和反相器
- MPC8378CVRANGA - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- SAA6588T/V2,518 - 射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
- S912XDG128F2MAAR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- PDTC143EEF,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
BLF8G20LS-200V - 功率LDMOS晶体管
BLF8G20LS-200V是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLF8G20LS-200V是功率LDMOS晶体管，本站介绍了BLF8G20LS-200V的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLF8G20LS-200V相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G20LS-200V - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管，具有改进的视频带宽，适合1800 MHz至2000 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低Rth，提供极佳的热稳定性
- 去耦引线，可改进视频带宽（典型值：80 MHz）
- 针对低内存占用量设计，提供出色的预失真性能
- 内部匹配，便于使用
- 集成式ESD保护
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适用于W-CDMA基站的RF功率放大器
- 1800 MHz至2000 MHz频率范围内的多载波应用
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- 74HC4351DB - 8通道模拟多路复用器/解复用器，具有锁存器
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