74LVC1G11提供一个单路3输入与门。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZX79-C9V1 - 稳压器二极管
• 74ABT162244 - 16位缓冲器/线路驱动器，具有30 Ω串联端接电阻；3态
• NX7002BKXB - 60 V, dual N-channel Trench MOSFET
• 74AHC2G08GD - 双路2输入与门
• MF1S5031XDUF - MIFARE Classic 1K - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• PBLS1501Y; PBLS1501V - 15 V PNP BISS负载开关
• BCW61D - PNP通用晶体管
• 74HC2G14GW - 双路反相施密特触发器
• TDA8594 - I2C总线控制型4 x 50 W功率放大器
• PBSS4041NX - 60 V，6.2 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管