74HC595；74HCT595是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准No. 7A。

74HC595；74HCT595是带存储寄存器和3态输出的8级串行移位寄存器。这类寄存器具有单独的时钟。

数据在移位寄存器时钟输入(SHCP)正向跃迁时移位。每个寄存器中的数据都在存储寄存器时钟输入(STCP)正向跃迁时被传输到存储寄存器。如果两个时钟连在一起，则移位寄存器将总是比存储寄存器超前一个时钟脉冲。

移位寄存器具有用于级联的一个串行输入(DS)和一个串行标准输出(Q7S)。该器件还针对所有8个移位寄存器级提供异步复位（低电平有效）。该存储寄存器具有8个平行3态总线驱动器输出。输出使能输入(OE)为低电平时，存储寄存器中的数据出现在输出处。

• 8位串行输入
• 8位串行或并行输出
• 存储寄存器，带3态输出
• 移位寄存器，带直接清零
• 100 MHz（典型值）移出频率
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 串行到并行数据转换
• 遥控保持寄存器

• 74HC5555D - 可编程延迟定时器，带振荡器
• CBT3257ADB - 四路2选1多路复用器/解复用器
• P82B96TD - 双路双向总线缓冲器
• 74HC(T)123 - 双可再触发单稳态多谐振荡器，带重置
• 74CBTLV3384BQ - 10位总线开关，具有5位输出使能
• PBSS4032SN - 30 V，5.7 A NPN/NPN低V_CEsat (BISS)晶体管
• BZX84J-C47 - 单倍齐纳二极管
• PUMH10 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PTVS33VP1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• NX5P2190UK - Logic controlled high-side power switch