74HC123；74HCT123是高速硅栅CMOS器件，与低功率肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。其规格符合JEDEC标准no. 7A。

74HC123；74HCT123是输出脉冲宽度由三种方法控制的双可再触发单稳态多谐振荡器。

基本脉冲通过选择外部电阻(REXT)和电容(CEXT)进行编程。 一旦触发，基本输出脉冲宽度可通过再触发门控低电平有效边沿输入(nA)或高电平有效边沿输入(nB)进行扩展。重复这一过程，就可按需形成输出脉冲周期（nQ为高电平，nQ 为低电平）。或者，输出延迟可通过输入nRR上的低电平沿随时终止，其还可抑制触发。 从nRD到输入门的内部连接使其可以通过输入nRD上的高电平沿信号触发电路，如功能表中所示。

nA和nB输入中的施密特触发器操作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

74HC123；74HCT123等同于74HC423；74HCT423，但可通过复位输入触发。

• 从高电平有效或低电平有效输入触发的直流
• 针对占空系数高达100 %的极长脉冲可再触发
• 直接复位可终止输出脉冲
• 除复位输入外的所有输入上的施密特触发器动作
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PBSS301PZ - 12 V、5.7 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LVC1G80GF - 单D型触发器；正沿触发器
• 2PA1774SM - PNP通用晶体管
• PCF2119AU - LCD控制器/驱动器
• 74AUP2G157GD - 低功耗2输入多路复用器
• PTVS5V0S1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• PBHV8118T - 180 V，1 A NPN高压低VCEsat (BISS)晶体管
• PZU6.8B2L - 单倍齐纳二极管
• PBSS304NZ - 60 V，5.2 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PXT4403 - PNP开关晶体管