74HC166；74HCT166是8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该类器件具有一个串行数据输入(DS)、八个并行数据输出（Q0至Q7）和一个串行输出(Q7)。并行使能输入(PE)为低电平时，来自D0至D7的数据在时钟输入(CP)下一次从低电平跃迁至高电平时会加载到移位寄存器中。PE为高电平时，数据随CP每次从低电平跃迁到高电平在DS处串行输入到寄存器。时钟使能输入(CE) 为低电平时，数据在CP从低电平跃迁到高电平时移位。CE上的高电平可禁用CP输入。输入包括能使用限流电阻将输入连接到高于VCC的电压的钳位二极管。

• 同步并行到串行应用
• 同步串行输入，可实现轻松扩展
• 符合JEDEC标准no. 7A
• 输入电平：
  • 对于74HC166：CMOS电平
  • 对于74HCT166：TTL电平
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40?°C至+85?°C和-40?°C至+125?°C

• BZX84-A4V3 - 稳压器二极管
• 74VHC244BQ - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PBSS306NZ - 100 V，5.1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74HCT107D - 带复位功能的双频JK触发器；负沿触发器
• PESD12VL2BT - 采用SOT23封装的低电容双向双ESD保护二极管
• PZU6.2B2L - 单倍齐纳二极管
• 74AHCT74D - 带设置和复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• BLF6G22LS-130 - 功率LDMOS晶体管
• IP4855CX25 - 符合SD3.0规范的记忆卡集成双电平转换器，带EMI滤波器和ESD保护
• TDZ5V6J - 单倍齐纳二极管