74LVC2G66是低功耗、低电压、高速硅栅CMOS器件。

74LVC2G66提供两个单刀单掷模拟开关功能。每个开关都具有两个输入/输出终端（nY和nZ）以及一个有源高电平使能输入（nE）。nE为低电平时，模拟开关会被关断。

使能输入的施密特触发器动作使电路在1.65 V至5.5 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 7.5 Ω（典型值）（VCC = 2.7 V时）
  • 6.5 Ω（典型值）（VCC = 3.3 V时）
  • 6 Ω（典型值）（VCC = 5 V时）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的TTL接口兼容性
• 锁存性能满足JESD78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 使能输入可接受最高达5.5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• HEF4528B - 双单稳态多谐振荡器
• BC55PA - 60 V，1 A NPN中等功率晶体管
• BSS138PW - 60 V，360 mA N沟道Trench MOSFET
• BUK7635-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• SC16C554DBIA68 - 5 V、3.3 V和2.5 V的四通道UART，5 Mbit/s（最快），带有16字节FIFO
• BUK7908-40AIE - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• PCA9554ATS - 带有中断的8位I2C总线和SMBus I/O端口
• BLF8G27LS-140 - 功率LDMOS晶体管
• BC54-16PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A NPN medium power transistors
• BAT760 - 单倍中等功率肖特基势垒二极管