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74AUP1G04产品应用图解:





NXP恩智浦芯片:
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- PHD37N06LT,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
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- MC12311CHNR - 射频和无线 > 射频收发器 IC
- PUMB18,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
- PCF1252-0T/F4,118 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 监控器
- MPC870VR80 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器



74AUP1G04 - 低功耗反相器
74AUP1G04是NXP恩智浦公司的一款缓冲器/驱动器产品,74AUP1G04是低功耗反相器,本站介绍了74AUP1G04的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74AUP1G04相关的NXP元器件型号供参考。
74AUP1G04 - 低功耗反相器 - 缓冲器/驱动器 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
74AUP1G04提供单路反相缓冲器。
所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。
该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。
该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出,从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。
产品特性和优势
- 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
- 高抗噪性
- 符合JEDEC标准:
- JESD8-12(0.8 V至1.3 V)
- JESD8-11(0.9 V至1.65 V)
- JESD8-7(1.2 V至1.95 V)
- JESD8-5(1.8 V至2.7 V)
- JESD8-B(2.7 V至3.6 V)
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- CDM JESD22-C101E超过1000 V
- 低静态功耗;ICC = 0.9 μA(最大值)
- 根据JESD 78B II类 ,锁存性能超过100 mA
- 输入接受高达3.6 V的电压
- 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
- IOFF电路提供部分掉电模式操作
- 多个封装选项
- 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
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