74LVC1G98是带施密特触发器输入的可配置多功能逻辑门。该器件可配置为下列任何逻辑函数：“多路复用”、“与”、“或”、“与非”、“或非”、反相器和缓冲器；使用3位输入。所有输入可连接至VCC或GND。

输入可从3.3 V器件或5 V器件驱动。该特性允许在3.3 V和5 V混合电压环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 与5 V逻辑器件连接的5 V容压输入/输出
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ±24 mA输出驱动（VCC = 3.0 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• CMOS低功耗
• 锁存性能超过250 mA
• 直接与TTL电平连接
• 输入接受高达5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃。

• TDZ8V2J - 单倍齐纳二极管
• MMBTA42 - NPN高压晶体管
• HEF4073BT - 三路3输入与门
• PMEG045V050EPD - 45 V, 5 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• CBTL02043A; CBTL02043B - 支持PCI Express Gen3的3.3 V、2差分通道、2 : 1多路复用器/解复用器开关
• 74AHC04BQ - 六位元进制反相器
• PSMN2R4-30MLD - N沟道30 V，2.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术
• CBTD3306GM - 双路总线开关，具有电平转换
• TDZ24J - 单倍齐纳二极管
• PSMN075-100MSE - N沟道100 V 71 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK33封装，专为PoE应用而设计