
74CBTLVD3861PW技术文档下载:
74CBTLVD3861PW产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PMST2369,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- S9S08SG8E2VTJR - 嵌入式 - 微控制器
- MFRC63102HN,157 - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- S9S12G64F0WLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PSMN2R7-30PL,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- MMBZ6V2AL,215 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- PCA9513DP,118 - 集成电路(IC) > 接口 > 信号缓冲器、中继器、分离器
- MK60FX512VMD15 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74ALVT162241DL,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器



74CBTLVD3861PW - 10位电平转换总线开关,具有输出使能
74CBTLVD3861PW是NXP恩智浦公司的一款通用开关产品,74CBTLVD3861PW是10位电平转换总线开关,具有输出使能,本站介绍了74CBTLVD3861PW的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74CBTLVD3861PW相关的NXP元器件型号供参考。
74CBTLVD3861PW - 10位电平转换总线开关,具有输出使能 - 通用开关 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
74CBTLVD3861是带一个输出使能(OE)输入的10位3.3 V至1.8 V电平转换总线开关。OE为低电平时,开关闭合且端口A连接到端口B。OE为高电平时,该开关处于禁用状态。
为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态,OE应当通过上拉电阻连接到VCC。电阻的最小值由驱动器灌入电流的能力确定。
控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许整个3.0 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。
该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。
产品特性和优势
- 3.0 V至3.6 V的电源电压范围
- 高抗噪性
- 符合JEDEC标准:
- JESD8-B/JESD36(3.0 V至3.6 V)
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F超过2000 V
- CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
- 两个端口之间的4 Ω开关连接
- 3.3 V至1.8 V电平转换
- CMOS低功耗
- 闭锁性能超过250 mA,符合JESD78B I类A级标准
- IOFF电路提供局部掉电模式操作
- 多种封装选择
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
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