74CBTLVD3861是带一个输出使能(OE)输入的10位3.3 V至1.8 V电平转换总线开关。OE为低电平时，开关闭合且端口A连接到端口B。OE为高电平时，该开关处于禁用状态。

为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态，OE应当通过上拉电阻连接到VCC。电阻的最小值由驱动器灌入电流的能力确定。

控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许整个3.0 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。

• 3.0 V至3.6 V的电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-B/JESD36（3.0 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
• 两个端口之间的4 Ω开关连接
• 3.3 V至1.8 V电平转换
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA，符合JESD78B I类A级标准
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZX84-C10 - 稳压器二极管
• PBSS3515M - 15 V、0.5 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LVT(H)244B - 3.3 V八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• 74AHC2G00GD - 双路2输入与非门
• PCA9544AD - 带有中断逻辑的4通道I2C总线多路复用器
• NZX2V1B - 单倍齐纳二极管
• BGU6104 - 宽带硅低噪声放大器MMIC
• BZV90-C15 - 稳压器二极管
• BUK9275-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PEMB18; PUMB18 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ