HEF4894B是12级串行移位寄存器。其具有与每一级都相关的存储锁存器，将数据从串行输入(D)选通到并行LED驱动器输出（QP0至QP11）。数据在时钟(CP)正向跃迁时移位。选通(STR)输入为高电平时，每个移位寄存器级中的数据都会被传输到存储寄存器。只要输出使能输入(OE)信号为高电平，存储寄存器中的数据就会出现在输出处。

两个串行输出（QS1和QS2）可用于级联各种HEF4894B器件。时钟正边沿上的QS1提供串行数据，在具有快速时钟上升时间的级联系统中可实现高速操作。下一个时钟负边沿上的QS2提供同一串行数据。时钟具有缓慢上升时间时，这用于级联HEF4894B器件。

其工作电压为建议的3 V至15 V的VDD电源电压，以VSS（通常为地）为参考。未使用的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。

• 全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准化对称输出特性
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
• 符合JEDEC标准JESD 13-B

• PSMN3R4-30BL - N沟道30 V 3.3 m?逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装
• BLP05H6200XR - Power LDMOS transistor
• BUK763R6-40C - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BF991 - N沟道双栅极MOSFET
• PZU6.2B1A - 单倍齐纳二极管
• PHP36N03LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• SSL5511T - 带DIM引脚的可调光LED控制器IC
• PZU2.7BL - 单倍齐纳二极管
• CBT16210 - 20位总线开关，具有10位输出使能
• PDTC123YT - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm