74CBTLVD3861是带一个输出使能(OE)输入的10位3.3 V至1.8 V电平转换总线开关。OE为低电平时，开关闭合且端口A连接到端口B。OE为高电平时，该开关处于禁用状态。

为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态，OE应当通过上拉电阻连接到VCC。电阻的最小值由驱动器灌入电流的能力确定。

控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许整个3.0 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。

• 3.0 V至3.6 V的电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-B/JESD36（3.0 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
• 两个端口之间的4 Ω开关连接
• 3.3 V至1.8 V电平转换
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA，符合JESD78B I类A级标准
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• CBT3257AD - 四路2选1多路复用器/解复用器
• PZU22B2L - 单倍齐纳二极管
• TFF11101HN - 适合VSAT应用的低相位噪声本振发生器
• P5CD051X0 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• BC846B - 65 V，100 mA NPN通用晶体管
• PSMN6R0-30YLD - N沟道30 V，6.0 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术
• 74LVC1G19GN - 2选1解码器/解复用器
• PESD5V0L2UM - 低电容双ESD保护二极管
• PCA9539D - 带有中断和复位的16位I2C总线和SMBus低功率I/O端口
• BUK662R5-30C - N沟道TrenchMOS中间电平FET