74CBTLVD3861是带一个输出使能(OE)输入的10位3.3 V至1.8 V电平转换总线开关。OE为低电平时，开关闭合且端口A连接到端口B。OE为高电平时，该开关处于禁用状态。

为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态，OE应当通过上拉电阻连接到VCC。电阻的最小值由驱动器灌入电流的能力确定。

控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许整个3.0 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。

• 3.0 V至3.6 V的电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-B/JESD36（3.0 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
• 两个端口之间的4 Ω开关连接
• 3.3 V至1.8 V电平转换
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA，符合JESD78B I类A级标准
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74LVT162245BDGG - 3.3 V LVT 16位收发器，具有30 Ohm端接电阻（3态）
• PESD5V0H1BSF - 超低电容双向ESD保护二极管
• 74AUP2G58GF - Low-power dual PCB configurable multiple function gate
• PMBFJ309 - N沟道硅FET
• PESD12VU1UT - 采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
• BUK9275-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74ABT244D - 八位元缓冲器/线路驱动器（3态）
• 74HC4016D - 四路双向开关
• XC7SET08GW - 2输入与门
• PTVS60VP1UP - 600 W瞬态电压抑制器