74CBTLV3245是8刀单掷总线开关。该器件具有可控制八个开关通道的单个输出使能输入(OE)。OE为高电平时，开关处于禁用状态。控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许较慢的输入上升和下降时间。该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 2.3 V至3.6 V的电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
• 两个端口之间的5 Ω开关连接
• 数据I/O端口上的轨到轨切换
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA，符合JESD78B I类A级标准
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BLF2425M7L100 - 功率LDMOS晶体管
• BGU7003 - 宽带硅锗低噪声放大器MMIC
• BCP53; BCX53; BC53PA - 80 V，1 A PNP中等功率晶体管
• 74LVC1G123DC - 单可再触发单稳态多谐振荡器；施密特触发器输入
• BLL6H1214(LS)-500 - LDMOS L波段雷达功率晶体管
• XC7SH125GM - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• BUK9Y25-80E - N沟道80 V，27 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• PSMN6R0-30YLB - N沟道30 V 6.5 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• PIMH9 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 10?kΩ，R2 = 47?kΩ
• 74HC1G126GV - 总线缓冲器/线路驱动器；3态