74AXP1G98是可配置的多功能门，具有施密特触发输入。该器件可配置为任何以下逻辑功能：MUX、AND、OR、NAND、NOR、反相器和缓冲器。所有输入都可直接连接到VCC或GND。该器件可确保整个0.7 V至2.75 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（宽范围：0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-12A.01（正常范围：1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（85 °C最大 ）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• SE98ATP - DDR存储器模块温度传感器，1.7 V至3.6 V
• 74LVC1G17GN - 单路施密特触发器缓冲器
• PUMD6 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kOhm，R2 = 开路
• PDTA123Y series - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm
• MF1SEP1031DA4 - Secure contactless smart card IC for seamless migration
• 74AUP3G07GS - 低功耗三路缓冲器，带开漏输出
• PEMH7; PUMH7 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kOhm，R2 = 开路
• PZU9.1BA - 单倍齐纳二极管
• BUK765R0-100E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PBHV9560Z - 600 V、0.5 A PNP高压低VCEsat (BISS)晶体管