74AXP1G17是单路施密特触发器缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.7 V至2.75 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 低输入电容；CI = 0.5 pF（典型值）
• 低输出电容；CO = 1.0 pF（典型值）
• 低动态功耗；CPD = 2.5 pF，VCC = 1.2 V（典型值）时
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（85 °C最大 ）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围：?40 °C至+85 °C

• BAT17 - 肖特基势垒二极管
• 74ALVCH16601DGG - 18位通用总线收发器（三态）
• BAS70L - 通用肖特基二极管
• TEF6688HN - 低中频调谐器高性能单芯片
• BZX585-C2V7 - 稳压器二极管
• PCA9510A - 可热插拔的I2C总线和SMBus总线缓冲器
• NX7002BK - 60 V，N沟道Trench MOSFET
• PZU10B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BUK6213-30A - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• PZU12B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管