74LVC1G86提供2输入异或功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些功能允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BLL6H1214P2S-250 - LDMOS L-band radar power module
• BZX384-C12 - 稳压器二极管
• BZX84J-B43 - 单倍齐纳二极管
• PEMB24 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 100 kOhm
• PDTC124TMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kΩ，R2 = 开路
• 2PB709BRL; 2PB709BSL - 50 V，200 mA PNP通用晶体管
• PMBTA13 - NPN达林顿晶体管
• PSMN3R4-30BL - N沟道30 V 3.3 m?逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装
• 74LVC162244ADGG - 16位缓冲器/线路驱动器；30 Ω串联端接电阻；5 V容压输入/输出；3态
• PCAL9539APW - 带有中断和复位的低电压16位I2C总线和SMBus低功率I/O端口