74AVC16T245是带双向电平电压转换和3态输出的16位收发器。该器件可用作两个8位收发器或一个16位收发器。该器件具有适用于电压转换的双电源（VCC(A)和VCC(B)）和四个8位输入输出端口（nAn和nBn），每个端口都有其自身的输出使能(nOE)和用于方向控制的发送/接收(nDIR)输入。VCC(A)和VCC(B)各自都可以是0.8 V和3.6 V之间的任何电压，因此该器件适用于下列电压（0.8 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V和3.3 V）之间的低压转换。nDIR上的高电平会选择从nAn到nBn的传输，而nDIR上的低电平则会选择从nBn到nAn的传输。nOE上的高电平会使输出呈高阻抗关断状态。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时任何破坏性回流电流通过该器件。在挂起模式下，只要VCC(A)或VCC(B)这两者的其中之一处于GND电平，nAn和nBn就都处于高阻抗关断状态。

• 宽电源电压范围：
  • VCC(A)：0.8 V至3.6 V
  • VCC(B)：0.8 V至3.6 V
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3B类超过8000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101D超过1000 V
• 最大数据速率：
  • 380 Mbit/s（≥ 1.8 V至3.3 V转换）
  • 200 Mbit/s（≥ 1.1 V至3.3 V转换）
  • 200 Mbit/s（≥ 1.1 V至2.5 V转换）
  • 200 Mbit/s（≥ 1.1 V至1.8 V转换）
  • 150 Mbit/s（≥ 1.1 V至1.5 V转换）
  • 100 Mbit/s（≥ 1.1 V至1.2 V转换）
• 挂起模式
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PTVS3V3P1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• BUK7K6R8-40E - 双N沟道40 V，6.8 m?标准电平MOSFET
• BZX84J-C20 - 单倍齐纳二极管
• BLF8G22LS-200V - 功率LDMOS晶体管
• BZX384-C20 - 稳压器二极管
• RB751CS40 - 单倍肖特基势垒二极管
• 74AUP1T57GF - 低功耗可配置门，带电压电平转换器
• 74LVC1GU04GF - 非缓冲反相器
• PMEG45T15EPD - 45 V, 15 A low VF Trench MEGA Schottky barrier rectifier
• PEMB9 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ