74AUP1Z04结合了74AUP1GU04和74AUP1G04的功能以及使能电路和内部偏置电阻，提供最适合晶体振荡器应用的器件。

不使用时，可将EN输入驱动为高电平，从而将该器件置于低功耗禁用模式，其中X1通过RPU拉至高电平、X2设置为低电平、Y设置为高电平。EN输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC 范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全针对在输出Y处使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

74AUP1Z04因集成了这两个器件而在各种频率和温度范围内形成尺寸紧凑、功耗低和操作稳定的优势。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路在输出Y处提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74LVT16652A - 3.3 V 16位总线收发器/寄存器；3态
• BLC2425M8LS300P - Power LDMOS transistor
• 74LVC(H)16244A - 16位缓冲器/线路驱动器；5 V输入/输出容压；3态
• PBSS4032PD - 30 V，2.7 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PMN40UPE - 20 V，单P沟道Trench MOSFET
• BUK7880-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PBRN123YT - NPN 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm
• 74AUP1G86GM - 低功耗2输入异或门
• 74LVC1G07GF - 缓冲器，带开漏输出
• SC16C554DBIA68 - 5 V、3.3 V和2.5 V的四通道UART，5 Mbit/s（最快），带有16字节FIFO