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PESD3V3L1BA产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PHD18NQ10T,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
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- 74LVC1284PW,118 - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- SC18IM700IPW/S8HP - 集成电路(IC) > 接口 > 控制器
- BZX585-B30,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- BAT54S/6235 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
- PHX45NQ11T,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- SPC5644AF0MMG2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPSA43,116 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- S9S08SL8F1CTJR - 嵌入式 - 微控制器
- 74ABT373AD,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
- SVF332R3K1CKU2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC68LC302PU20CT - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- TFA9841J/N1,112 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- SC16C852LIBS,157 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)



PESD3V3L1BA - 采用SOD323封装的低电容双向ESD保护二极管
PESD3V3L1BA是NXP恩智浦公司的一款低电容ESD保护设备产品,PESD3V3L1BA是采用SOD323封装的低电容双向ESD保护二极管,本站介绍了PESD3V3L1BA的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PESD3V3L1BA相关的NXP元器件型号供参考。
PESD3V3L1BA - 采用SOD323封装的低电容双向ESD保护二极管 - 低电容ESD保护设备 - 通用ESD保护设备 - 恩智浦
产品描述
双向静电放电(ESD)保护二极管采用极小型SOD323 (SC-76) SMD塑料封装,保护单条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。
产品特性和优势
- 单条线路的双向ESD保护
- 超过23 kV的ESD保护
- 最大峰值脉冲功率:Ppp = 500 W
- IEC 61000-4-2,第四级(ESD)
- 低钳位电压:V(CL)R = 26 V
- IEC 61000-4-5(浪涌);Ipp = 18 A
- 超低漏电流:IRM< 0.09 uA
- 超小型SMD塑料封装
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 计算机和外设
- 数据线
- 通信系统
- CAN总线保护
- 音频和视频设备
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