74AUP1G04提供单路反相缓冲器。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78B II类 ，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BLF9G20LS-160V - Power LDMOS transistor
• 74AUP2G16GN - Low-power dual buffer
• BST39 - NPN高压晶体管
• BZB84-C24 - 双倍齐纳二极管
• BZT52H-C2V7 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• CBT16292DGG - 12位2选1多路复用器/解复用器
• NX5P2924UK - 逻辑控制的高侧电源开关
• BZB84-C2V7 - 双倍齐纳二极管
• PZU3.6B2A - 单倍齐纳二极管
• BSS138BK - 60 V，360 mA N沟道Trench MOSFET