74AUP2G34提供两个低功耗、低电压的缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74LVT16501A - 3.3 V LVT 18位通用总线收发器；3态
• TDA5051AT - 家庭自动化调制解调器
• PSMN5R2-60YL - N-channel 60 V, 5.2 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• BLS6G3135S-120 - LDMOS S波段雷达功率晶体管
• PBSS303PD - 60 V、3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• BZX585-C51 - 稳压器二极管
• BLF7G22LS-200 - 功率LDMOS晶体管
• PSMN6R5-25YLC - N沟道25 V 6.5 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BZT52H-C22 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• IP4252CZ8-4-TTL - 集成式4、6和8通道无源滤波器网络，带ESD保护